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机译:纯锗电离辐射探测器的制备方法
公开/公告号CS231906B1
专利类型
公开/公告日1984-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 SKRIVANKOVAMARIECS;
申请/专利号CS19820007184
发明设计人 SKRIVANKOVAMARIECS;
申请日1982-10-08
分类号H01L31/00;G01T1/34;
国家 CS
入库时间 2022-08-22 08:19:11
机译: 电离辐射固态检测器的锗单晶处理方法
机译: 电离辐射探测器及其制备方法