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Wide band high output amplifier using a power field effect transistor as an output stage

机译:使用功率场效应晶体管作为输出级的宽带高输出放大器

摘要

Disclosed is a wide band high output amplifier in which a field effect transistor is used as an output element, in which a constant resistance circuit is inserted between the drain terminal of the field effect transistor and a load capacitance such that the impedance characteristic is a constant resistive value and provides a peaking function across the load capacitance so as to improve the high frequency characteristic of the amplifier without increasing the imput impedance of the field effect transistor.
机译:公开了一种宽带高输出放大器,其中使用场效应晶体管作为输出元件,其中在场效应晶体管的漏极端子和负载电容之间插入恒定电阻电路,使得阻抗特性恒定。电阻值,并在负载电容上提供峰化功能,以改善放大器的高频特性,而不会增加场效应晶体管的输入阻抗。

著录项

  • 公开/公告号US4528520A

    专利类型

  • 公开/公告日1985-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HITACHI LTD.;

    申请/专利号US19830495495

  • 发明设计人 MICHITAKA OSAWA;

    申请日1983-05-17

  • 分类号H03F3/16;H03F3/193;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 07:52:20

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