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CADMIUM TELLURIDE SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION OF CADMIUM TELLURIDE SINGLE CRYSTAL

机译:碲化镉单晶和碲化镉单晶的生产

摘要

PURPOSE:To obtain a large-sized cadmium telluride single crystal, by adding a specific amount of Ge to the molten raw material. CONSTITUTION:In the crystal growth of a CdTe single crystal from a molten raw material, Ge is added to the molten raw material in an amount of 1X1018-9X1021atom/cm3. The molten raw material is pulled up by liquid- encapsulated Czochralski method keeping the temperature gradient near the solid-liquid interface to =100 deg.C/cm along the direction of the crystal growth.
机译:目的:通过向熔融原料中添加一定量的锗,以获得大尺寸的碲化镉单晶。组成:在CdTe单晶从熔融原料中生长晶体时,将Ge以1X10 18 -9X10 21原子/ cm 3的量添加到熔融原料中。通过液体封装的切克劳斯基(Czochralski)方法将熔融的原料向上拉,使固液界面附近的温度梯度沿晶体生长方向保持在<= 100℃/ cm。

著录项

  • 公开/公告号JPS61215298A

    专利类型

  • 公开/公告日1986-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUMITOMO ELECTRIC IND LTD;

    申请/专利号JP19850057087

  • 发明设计人 TADA KOJI;NAMIKAWA YASUO;KOTANI TOSHIHIRO;

    申请日1985-03-20

  • 分类号C30B29/48;C30B27/02;C30B29/46;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 07:48:31

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