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机译:测量半导体材料的接触电势差的装置
公开/公告号BG38292A1
专利类型
公开/公告日1985-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 PANAJJOTOVVLADKO T.;ARNAUDOVRUMEN I.;MIRCHEVVENCISLAV A.;
申请/专利号BG19840066386
发明设计人 PANAJJOTOVVLADKO T.;ARNAUDOVRUMEN I.;MIRCHEVVENCISLAV A.;
申请日1984-07-25
分类号G01N27/00;
国家 BG
入库时间 2022-08-22 07:43:06
机译: 测量半导体材料的接触电势差的装置
机译: 用于具有埋入式触点的多晶光伏器件和半导体器件的前接触沟槽
机译: 车辆例如拖车,保护装置,具有潜在的差异产生机制,可在已取消以管理警报触发信号的触点与连接到车辆电池的应急电池之间产生差异