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process for forming a fusion zone is stable in the fusion zones without crucible of a bar of crystalline semiconductor material

机译:形成熔合区的方法在熔合区中是稳定的,没有坩埚的结晶半导体材料

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号IT1111796B

    专利类型

  • 公开/公告日1986-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号IT19790020470

  • 发明设计人

    申请日1979-02-23

  • 分类号C30B13/20;C30B13/30;H01L21/208;

  • 国家 IT

  • 入库时间 2022-08-22 07:39:36

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