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机译:形成熔合区的方法在熔合区中是稳定的,没有坩埚的结晶半导体材料
公开/公告号IT1111796B
专利类型
公开/公告日1986-01-13
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号IT19790020470
发明设计人
申请日1979-02-23
分类号C30B13/20;C30B13/30;H01L21/208;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 07:39:36
机译: 在没有坩埚的宽棒半导体晶体的情况下,形成熔化区的方法在熔化区中是稳定的。
机译: 在没有坩埚的情况下,可控地将混合材料引入区域半导体中的晶体半导体的方法
机译: 在无坩埚的渐进熔化区中将物质引入半导体材料预定掺杂晶体中的方法