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机译:探查半导体和介电材料表面的方法
公开/公告号SU1228003A1
专利类型
公开/公告日1986-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 TOMSKIJ REVOLYUTSII POLT I IM.S.M.KIROVA;
申请/专利号SU19843760646
发明设计人 RUDNEV STANISLAV VSU;ERMOLAEV VIKTOR ASU;
申请日1984-06-04
分类号G01N27/92;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 07:34:01
机译: 从半导体主体本体的表面去除电介质膜的方法,从半导体主体本体的表面去除氧化膜的方法以及避免半导体材料主体的表面变质的方法
机译: 低k介电材料的处理方法以及用于微结构器件和半导体器件的敏感低k介电体的受损表面修复方法