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process for the production of cavities in silizierten siliziumkarbidkörpern

机译:碳化硅碳化硅坯体中产生空腔的方法

摘要

1382987 Silicon carbide artefacts UNITED KINGDOM ATOMIC ENERGY AUTHORITY 30 Oct 1972 [10 Nov 1971] 52306/71 Heading C1A A green silicon carbide artefact is formed with a hole therein, the hole containing graphite of density at least 0À963 gm./cc. The so-formed artefact may be siliconized. One method for providing the hole is that of protecting a hole within a green silicon carbide artefact during siliconizing of the artefact by filling the hole with graphite of density at least 0À963 gm./cc. In an alternative method a graphite plug is surrounded by green silicon carbide to form an artefact, siliconizing and drilling out the plug, preferably leaving a film of graphite on the surface of the hole.
机译:1382987碳化硅制品1972年10月30日[1971年11月10日]英国原子能机构52306/71标题C1A形成了绿色碳化硅制品,其中带有一个孔,该孔包含密度至少为0‑963克/立方厘米的石墨。这样形成的人工制品可以被硅化。一种提供孔的方法是在人工制品的硅化过程中通过用密度至少为0-963 gm./cc的石墨填充孔来保护绿色碳化硅制品中的孔。在替代方法中,石墨塞被生碳化硅包围以形成人工制品,硅化并钻出塞,优选在孔的表面上留下石墨膜。

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