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MOS static ram with capacitively loaded gates to prevent alpha soft errors

机译:具有容性负载门的MOS静态ram可以防止alpha软错误

摘要

A semiconductor device in which a logic information can be held stably without being influenced by &agr;-rays, is disclosed. The major feature of the device resides in that a capacitor is provided at a control terminal of a transistor holding a logic information thereby to increase an effective capacitance of the control terminal.
机译:公开了一种半导体器件,其中可以稳定地保持逻辑信息​​而不受α射线的影响。该设备的主要特征在于,在保持逻辑信息​​的晶体管的控制端子处设置电容器,从而增加了控制端子的有效电容。

著录项

  • 公开/公告号US4590508A

    专利类型

  • 公开/公告日1986-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIPPON ELECTRIC CO. LTD.;

    申请/专利号US19830555420

  • 发明设计人 TOHRU TSUJIDE;NOBORU HIRAKAWA;

    申请日1983-11-29

  • 分类号H01L27/04;H01L29/78;G11C11/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 07:29:12

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