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机译:带有表面阻挡层的核辐射硅探测器的生产方法
公开/公告号CS251392B1
专利类型
公开/公告日1987-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 PTACKOVAJIRINACS;SRNKADUSANCS;SVOBODOVARIMMACS;
申请/专利号CS19850007618
发明设计人 SRNKADUSANCS;PTACKOVAJIRINACS;SVOBODOVARIMMACS;
申请日1985-10-24
分类号G01T1/20;G01T1/202;
国家 CS
入库时间 2022-08-22 07:21:28
机译: 表面势垒核辐射硅探测器的制作方法
机译: 核辐射探测器,可阻挡硅表面