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机译:单晶片特别是半导电材料的无损检测深层的方法和测量布置
公开/公告号HUT41909A
专利类型
公开/公告日1987-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 MTA MUESZAKI FIZIKAI KUTATO INTEZETEHU;
申请/专利号HU19850003401
发明设计人 FERENCZIGYOERGYHU;BIRICZPETERHU;BODAJANOSHU;
申请日1985-09-09
分类号G01R31/26;
国家 HU
入库时间 2022-08-22 07:20:22
机译: 非破坏性方法检测半导电材料,尤其是单分子膜的深层的方法和测量装置
机译: 磁测量装置,无损检测装置以及检测磁传感器线圈的布置方法
机译: 用于检测容器中填充材料的填充水平或限制水平的装置及其用填充材料填充或排空容器的方法