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ANTIMONY-DOPED STANNIC OXIDE THICK FILM GAS SENSOR

机译:掺锑锡氧化物厚膜气体传感器

摘要

ABSTRACT OF THE INVENTIONA method of preparing an antimony-doped stannicoxide gas detecting film device responsive to the combust-ible constituents in an environment of interest is dis-closed. Stannic oxide is structurally doped with antimonyfor use as a thick film gas detecting element.
机译:发明内容一种制备锑掺杂锡的方法响应燃烧的氧化物气体检测膜装置在感兴趣的环境中的有效成分关闭。氧化锡在结构上掺杂有锑用作厚膜气体检测元件。

著录项

  • 公开/公告号CA1227384A

    专利类型

  • 公开/公告日1987-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION;

    申请/专利号CA19840469806

  • 发明设计人 YANNOPOULOS LYMPERIOS N.;

    申请日1984-12-11

  • 分类号F23N5/24;H01C17/06;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 07:16:44

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