一种通过发射器腔室的方法来测量单晶大材料取向的装置,该发射器腔室包括大量样品的支持装置和发射腔室的对准装置,以及支持的装置,其特征在于其中所含的十项呈现第一个平面1以便接收样品,第二个平面2垂直于第一个阻止样品,第11个和第12个参考计划分别与第一个1和第二个2平面平行,以及第三个参考计划13垂直于第一平面和第二平面,这是因为在同一光学B中,对准的手段至少有两个参考计划21、22相对于发射腔的光学轴(在测量中得到支持)第一个11和第二个12,是第一个11和第三个13样本持有人参考计划10。 P>
应用程序:测量制造商的单晶取向集成电路基板的E。 P>
公开/公告号FR2596154A1
专利类型
公开/公告日1987-09-25
原文格式PDF
申请/专利号FR19860003818
申请日1986-03-18
分类号G01N23/205;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 07:11:03