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Method for producing ultralow-mass fissionable deposits for reactor neutron dosimetry by recoil ion-implantation

机译:反冲离子注入生产反应堆中子剂量学用超低质量裂变沉积物的方法

摘要

An alpha recoil ion-implantation method uses an alpha-emitting source that is a radioactive parent of the daughter isotope of interest to implant into a suitable substrate the recoil daughter ions resulting from alpha decay of the parent. For example, a ²⁴¹Am source in thin layer form is placed next to a substrate such as a solid state track recorder in a vacuum which houses an assembly for rotating opposing disks receiving the alpha-emitting source and the substrate, respectively. Each alpha decay of ²⁴¹Am results in a ²³⁷Np ion with enough recoil energy to be implanted into the substrate.
机译:一种α反冲离子注入方法使用作为目标子同位素的放射性母体的α发射源,将由母体的α衰变产生的反冲子离子注入合适的基质中。例如,在真空中将薄层形式的“ AmAm”源放置在诸如固态轨道记录器之类的衬底旁边,真空源中装有一个组件,该组件用于旋转分别接收α-发射源和衬底的相对盘。每个α-Am的衰变都会产生一个-Np离子,该离子具有足够的反冲能量,可以注入到衬底中。

著录项

  • 公开/公告号EP0259055A1

    专利类型

  • 公开/公告日1988-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION;

    申请/专利号EP19870307303

  • 发明设计人 RUDDY FRANCIS HENRY;

    申请日1987-08-18

  • 分类号G01T3/00;G01T5/10;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:55:17

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