机译:在电绝缘层上,特别是在高度集成的半导体电路的电绝缘层上,进行由等离子体激活的离子,自由基和/或中性粒子引起的蚀刻过程的最终控制的方法
公开/公告号EP0278250A1
专利类型
公开/公告日1988-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;
申请/专利号EP19880100460
发明设计人 HIEBER KONRAD DR.;
申请日1988-01-14
分类号G01R27/02;
国家 EP
入库时间 2022-08-22 06:54:51