首页> 外国专利> A deposition method for simultaneously growing an epitaxial silicon layer and a polycrystalline silicon layer on an selectively oxidized substrate

A deposition method for simultaneously growing an epitaxial silicon layer and a polycrystalline silicon layer on an selectively oxidized substrate

机译:在选择性氧化的衬底上同时生长外延硅层和多晶硅层的沉积方法

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著录项

  • 公开/公告号KR890007431A

    专利类型

  • 公开/公告日1989-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 강진구;

    申请/专利号KR19870011062

  • 发明设计人 장영숙;

    申请日1987-10-02

  • 分类号H01L29/70;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 06:33:19

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