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For the low temperature operation of suitable homo by means of gear - bipolar transistor with a high base concentration

机译：为了通过齿轮-具有高基极浓度的双极晶体管在适当温度下进行低温操作

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摘要

in the tieftemperaturbetrieb below 200 k (especially below 77 k) suitable homoübergangs - bipolartransistor is the maximum value of the störstellenkonzentration a eigenleitungs - basisbereichs (2) at

机译：在低于200 k（特别是低于77 k）的tieftemperaturbetrieb中，适当的均方根-双极晶体管是本征störstellenkonzentrations-basebereichs（2）的最大值

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公开/公告号DE3834223A1

专利类型
公开/公告日1989-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI LTD. TOKIO/TOKYO JP;
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申请/专利号DE19883834223
发明设计人 SHIMOHIGASHI KATSUHIRO MUSASHIMURAYAMA TOKIO/TOKYO JP;AOKI MASAAKI;YANO KAZUO KOGANEI TOKIO/TOKYO JP;MASUHARA TOSHIAKI TOKIO/TOKYO JP;
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申请日1988-10-07
分类号H01L29/72;H01L27/06;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 06:30:48

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