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机译:N-砷化镓的微电子和光电子结构的成分表面刻蚀方法
公开/公告号CS270018B1
专利类型
公开/公告日1990-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 SVORCIK VACLAV ING. CSC.CS;RYBKA VLADIMIR RNDR. CSC.CS;MYSLIK VLADIMIR DOC. ING. CSC.CS;
申请/专利号CS19880000619
发明设计人 RYBKA VLADIMIR RNDR. CSC.CS;MYSLIK VLADIMIR DOC. ING. CSC.CS;SVORCIK VACLAV ING. CSC.CS;
申请日1988-02-01
分类号H01L21/268;
国家 CS
入库时间 2022-08-22 06:19:44
机译: N-砷化镓的微电子和光电子结构的成分表面刻蚀方法
机译: 利用氦氖激光在砷化镓表面制备微结构的胶粘剂浴