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机译:测量半导体结构中光电效应的程度的装置
公开/公告号PL274996A1
专利类型
公开/公告日1990-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 ZAKLAD DOSWIADCZALNY PRZY INST;
申请/专利号PL19880274996
发明设计人 MACIAK ANDRZEJ;SKRZYPCZAK MAREK;PIOTROWSKI JOZEF;
申请日1988-09-30
分类号G01R;H01L;
国家 PL
入库时间 2022-08-22 06:17:52
机译: 弯曲测量装置及其控制方法,能够通过测量结构的弯曲程度来计算补偿值
机译: 光学元件例如多反射镜阵列,用于制造精细结构半导体组件的表面变化确定装置,具有测量照明装置,用于通过测量光束来照明光学元件
机译: 具有测量结构的半导体部件以及使用该测量结构的半导体器件的测量方法