首页> 外国专利> flash memory eprom erasable in blocks of cells by interruption of the connecting lines and links through source lines orthogonal auxiliary source in metal interconnection1 and intersections in poly 2 for the continuity of bit lines

flash memory eprom erasable in blocks of cells by interruption of the connecting lines and links through source lines orthogonal auxiliary source in metal interconnection1 and intersections in poly 2 for the continuity of bit lines

机译:通过中断连接线和通过金属互连1中正交辅助源的源极线和多晶硅2中的相交点的连接线和链接来中断位线的连续性,可在单元块中擦除闪存

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号IT9083650D0

    专利类型

  • 公开/公告日1990-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SGS THOMSON MICROELETTRONICS;

    申请/专利号IT19900083650

  • 申请日1990-11-29

  • 分类号G11C17/00;G11C16/02;G11C16/06;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;

  • 国家 IT

  • 入库时间 2022-08-22 05:56:53

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