(1)静磁场的方向垂直于毛细管的轴线,且静磁场的方向与激光管的特征偏振方向之间的夹角等于30° -42°;
(2)的静磁场强度应使每个塞曼频率为&pgr;和。+-。&sgr;当将静态磁场施加到激光毛细管中时,过渡等于轴向模式间距; & P&& P&(3)静磁场的大小几乎沿着激光毛细管的长度方向均匀。为了防止偏光翻转,将
施加到激光毛细管中。
公开/公告号US5014278A
专利类型
公开/公告日1991-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA;
申请/专利号US19890406060
发明设计人 KYOICHI DEKI;
申请日1989-09-12
分类号H01S3/13;
国家 US
入库时间 2022-08-22 05:46:35