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CMOS TTL input buffer using a ratioed inverter with a threshold voltage adjusted N channel field effect transistor

机译:CMOS TTL输入缓冲器,使用比例转换器和阈值电压调整的N沟道场效应晶体管

摘要

The invention applies a weak forward bias to the body of the NFET transistor of a PFET-NFET TTL inverter buffer circuit to lower the NFET threshold voltage by about 0.45 volts, as a result of 1.5&mgr; amps of body-source current providing a body to source voltage of about 0.5 volts to achieve a near ideal switch point of 1.45 volts under nominal conditions. Also a modified inverter circuit with biasing source, two diodes for trip voltage of 1.4 volts and a comparator constitute a central bias generator for supplying proper bias to the body of the NFETs of a plurality of TTL input buffers.
机译:本发明对PFET-NFET TTL反相器缓冲电路的NFET晶体管的主体施加弱的正向偏压,以使NFET阈值电压降低约0.45伏,这是1.5μr的结果。体-源电流的最大安培数可提供约0.5伏的体-源电压,以在标称条件下达到1.45伏的接近理想的开关点。带有偏置源,两个用于1.4伏跳闸电压的二极管和一个比较器的改进型逆变器电路也构成了一个中央偏置发生器,用于向多个TTL输入缓冲器的NFET本体提供适当的偏置。

著录项

  • 公开/公告号US5017811A

    专利类型

  • 公开/公告日1991-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROCKWELL INTERNATIONAL CORPORATION;

    申请/专利号US19890427383

  • 发明设计人 EUGENE R. WORLEY;

    申请日1989-10-27

  • 分类号H03K19/94;H03K19/92;H03K19/03;H03K17/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 05:46:30

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