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机译:用于半导体单晶表观生长的多晶CVD金刚石基质
公开/公告号ZA9100697B
专利类型
公开/公告日1991-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC COMPANY;
申请/专利号ZA19910000697
发明设计人 FLEISCHER JAMES FULTON;THOMAS RICHARD ANTHONY;JAMES FULTON FLEISCHER;
申请日1991-01-30
分类号H01L;C30B;
国家 ZA
入库时间 2022-08-22 05:34:13
机译: 用于半导体单晶外延生长的多晶CVD金刚石衬底
机译: 用于半导体单晶表观生长的多晶CVD金刚石基质