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Segmented cascode HBT for microwave-frequency power amplifiers

机译:适用于微波功率放大器的分段共源共栅HBT

摘要

A cascode transistor configuration includes an input terminal for receiving the input signal, an output terminal for outputting the output signal and bass and emitter terminals connectable to ground. Each of a predetermined plurality of common-base heterojunction bipolar transistors (HBTs) has a base coupled to the base terminal, and a collector coupled to the support output terminal. Each of the predetermined plurality of common-emitter HBTs is associated with one of the common-base HBTs. Each common-emitter HBT also has a base coupled to the input terminal, an emitter coupled to the emitter terminal, and a collector coupled to only the emitter of the associated common-base HBT.
机译:共源共栅晶体管配置包括用于接收输入信号的输入端子,用于输出输出信号的输出端子以及可接地的低音和发射极端子。预定的多个公共基极异质结双极晶体管(HBT)中的每一个均具有耦合至基极端子的基极和耦合至支撑输出端的集电极。预定的多个公共发射极HBT中的每一个与公共基极HBT之一相关联。每个公共发射极HBT还具有耦合到输入端子的基极,耦合到发射极端子的发射极和仅耦合到相关公共基极HBT的发射极的集电极。

著录项

  • 公开/公告号US5066926A

    专利类型

  • 公开/公告日1991-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PACIFIC MONOLITHICS;

    申请/专利号US19900588766

  • 发明设计人 ALLEN F. PODELL;RAVI RAMACHANDRAN;

    申请日1990-06-26

  • 分类号H03F3/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 05:23:41

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