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METHOD FOR PRODUCING CVD DIAMOND FILM SUBSTANTIALLY FREE OF THERMAL STRESS-INDUCED CRACKS

机译:基本上无热应力引起的裂纹的CVD金刚石膜的制造方法

摘要

GEMAT 9/60-SD-579 Chemical vapor deposition method for producing a diamond film substantially free of thermal stress-induced cracks in which diamond growth occurs on both sides of a thin substrate so that two diamond coatings with identical opposing tensile forces are formed on each side of the substrate at a thickness greater than the thickness of the thin substrate.
机译:GEMAT 9 / 60-SD-579化学气相沉积方法,用于生产基本上没有热应力引起的裂纹的金刚石膜,在金刚石膜中,在薄基板的两侧均会出现金刚石生长,从而在其上形成两个具有相同反向拉伸力的金刚石涂层基板的每一侧的厚度大于薄基板的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CA2082729A1

    专利类型

  • 公开/公告日1993-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC COMPANY;

    申请/专利号CA19922082729

  • 发明设计人 SLUTZ DAVID E.;KNEMEYER FRIEDEL S.;

    申请日1992-11-12

  • 分类号C23C16/26;C23C16/46;C23C16/54;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 05:08:25

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