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Base drive circuit for high-power switching transistor

机译:大功率开关晶体管的基极驱动电路

摘要

Disclosed is a base drive circuit (10-1, 10-2) that provides a base drive current particularly adapted to switch a switching power transistor (QA, QB) ON and OFF quickly. The base drive current includes a variable AC impedance device that responds to a control pulse to form a base drive having (a) an initial forward base drive peak that drives the switching power transistor toward deep saturation momentarily, followed by (b) an intermediate drive current of lower magnitude, sufficient to keep a high-power transistor at or near saturation, and (c) a high-amplitude reverse drive current for high-speed turn-off of the transistor.
机译:公开了一种基极驱动电路(10-1、10-2),该基极驱动电路提供了基极驱动电流,该基极驱动电流特别适于快速切换开关功率晶体管(QA,QB)的导通和截止。基本驱动电流包括一个可变AC阻抗设备,该设备会响应控制脉冲以形成基本驱动,该基本驱动具有(a)初始正向基本驱动峰值,该峰值向前将开关功率晶体管瞬间驱动至深饱和状态,其次是(b)中间驱动较低幅度的电流,足以使高功率晶体管保持在饱和状态或接近饱和状态;以及(c)用于晶体管的高速关断的高幅度反向驱动电流。

著录项

  • 公开/公告号EP0226299B1

    专利类型

  • 公开/公告日1993-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TANDEM COMPUTERS INC;

    申请/专利号EP19860308155

  • 发明设计人 PAUKER ARMANDO;PREUIT RICHARD B.;

    申请日1986-10-21

  • 分类号H03K17/04;H02M7/538;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 04:40:31

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