首页> 外国专利> PROCESS FOR THE DEPOSITION ON AT LEAST ONE PIECE, IN PARTICULAR A METAL PIECE, OF A HARD LAYER BASED ON PSEUDO CARBON DIAMOND AND THE PIECE COATED WITH SUCH A LAYER.

PROCESS FOR THE DEPOSITION ON AT LEAST ONE PIECE, IN PARTICULAR A METAL PIECE, OF A HARD LAYER BASED ON PSEUDO CARBON DIAMOND AND THE PIECE COATED WITH SUCH A LAYER.

机译:用于沉积基于伪碳金刚石的硬质层和涂有此类涂层的硬质层的至少一件,尤其是金属件的过程。

摘要

Process characterised by adding to the carbonaceous gas, on the one hand, 2 to 70 % of silicon compounds, especially silane and/or tetramethylsilane and, on the other hand, 1 to 30 % of compounds containing at least one atom which is a neighbour of carbon in Mendeleev's classification. IMAGE
机译:一种方法,其特征在于,一方面向含碳气体中添加2-70%的硅化合物,特别是硅烷和/或四甲基硅烷,另一方面,添加1-30%的包含至少一个相邻原子的化合物。门捷列夫分类中碳的含量<图像>

著录项

  • 公开/公告号FR2675517B1

    专利类型

  • 公开/公告日1994-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CARBIONIC SYSTEME;

    申请/专利号FR19910004896

  • 发明设计人

    申请日1991-04-19

  • 分类号C23C16/50;C23C16/32;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 04:33:54

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