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Broadband tight coupled microstrip line structures

机译:宽带紧密耦合微带线结构

摘要

A coupled line structure for microwave signals employs a gallium- arsenide substrate having an embedded metallic line located on a surface of the substrate. The surface of the substrate is covered with a thin dielectric layer and at least another metallic line is positioned on the dielectric layer and parallel to the embedded line with a portion of the lines overlapping one another for coupling. A third line can also be disposed on the dielectric layer which line is parallel to the other lines and where the embedded line is connected by a via hole to one of the lines on the dielectric.
机译:用于微波信号的耦合线结构采用砷化镓衬底,该衬底具有位于衬底表面上的嵌入式金属线。衬底的表面覆盖有薄的介电层,并且至少另一条金属线位于介电层上并平行于嵌入线,并且一部分线彼此交叠以耦合。第三线也可以设置在电介质层上,该线与其他线平行,并且其中嵌入式线通过通孔连接到电介质上的线之一。

著录项

  • 公开/公告号US5313175A

    专利类型

  • 公开/公告日1994-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ITT CORPORATION;

    申请/专利号US19930002622

  • 发明设计人 DAVID A. WILLEMS;INDER J. BAHL;

    申请日1993-01-11

  • 分类号H01P5/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 04:31:47

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