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Laser deposition of crystalline boron nitride films

机译:晶体氮化硼薄膜的激光沉积

摘要

Thin films of boron nitride are grown on single crystal silicon substrates using laser deposition techniques. The films are characterized by essentially a single crystal structure throughout and in having a cubic structure which is in epitaxial registry with the underlying silicon substrate.
机译:使用激光沉积技术在单晶硅衬底上生长氮化硼薄膜。所述膜的特征在于,基本上整个是单晶结构,并且具有与下面的硅衬底外延对准的立方结构。

著录项

  • 公开/公告号EP0432820B1

    专利类型

  • 公开/公告日1995-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL MOTORS CORPORATION;

    申请/专利号EP19900203073

  • 申请日1990-11-20

  • 分类号H01L21/318;H01L21/203;C30B23/02;C30B29/40;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 04:13:52

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