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Plasma Emerson Ion Implantation Apparatus and Method
Plasma Emerson Ion Implantation Apparatus and Method
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机译:等离子体爱默生离子注入装置和方法
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Implantation methods and apparatus for low temperature cathode plasma Emerson ion implantation (C 2 PI 3 ) combine very short high voltage and low impact coefficient ionization in combination with synchronously generated electron flows to neutralize positively charged wafer surfaces without continuous plasma Use pulses.
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机译:低温阴极等离子体艾默生离子注入(C 2 Sup> PI 3 Sup>)的注入方法和设备结合了非常短的高电压和低冲击系数电离与同步生成的电子流相结合中和带正电荷的晶圆表面,而无需连续施加等离子体使用脉冲。
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