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机译:通过化学气相沉积聚吡咯生产聚合物导电表面的改进方法
公开/公告号IN177049B
专利类型
公开/公告日1996-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 COUNCIL OF SCIENTIFIC AND INDUSRIAL RESEARCH;
申请/专利号IN1990DEL1176
发明设计人 DHAWAN SUNDEEP KUMAR;TRIVEDI DINESH CHANDRA;
申请日1990-11-27
分类号H01B13/22;
国家 IN
入库时间 2022-08-22 03:53:32
机译: 功能性双相导电聚合物聚吡咯/聚咔唑/聚噻吩(CP / polyPyr / polyCbz / PolyTh)-碳纳米管(CNT)复合材料的控制形态和组成的复合材料“侧壁生长”-侧壁与端部选择性PolyTh沉积
机译: 功能性双相导电聚合物聚吡咯/聚咔唑/聚噻吩(CP / polyPyr / polyCbz / PolyTh)-碳纳米管(CNT)复合材料的控制形态和组成的“从表面生长”方法-侧壁与端部选择性聚苯乙烯沉积
机译: 金属的蒸气相碳沉积过程金属的蒸气相碳沉积过程零件表面和所获得的部分艺术品表面,以及零件所获得的