Process of epitaxial layer grouing AIIIBV in chloride system

摘要

Inventia se refera la tehnologia semiconductorilor si poate fi utilizata pentru obtinerea straturilor epitaxiale de fosfura de indiu crescuta prin procedeul de cloruri cu parametri electrofi Ameliorarea calitatii si sporirea reproductibilitatii parametrilor electrofizici in cadrul procedeului de crestere a straturilor epitaxiale AlllBV in sistem de cloruri, ce include pregatirea