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SOFT X-RAY SUBMICRON LITHOGRAPHY USING MULTIPLY CHARGED IONS

机译:使用多电荷离子的软X射线亚微米光刻技术

摘要

Apparatus and methods for submicron lithography of semiconductor materials, circuits and other objects. A source (10) of multiply charged ions (2) is applied to a thin layer of electrically conductive material (54). The recombination of ions and free electrons in the layer produced soft x-ray radiation which is used to irradiate an object (50). The object may include a semiconductor substrate, an x-ray sensitive resist, and an x-ray absorbing mask for forming semiconductor devices. The soft x-rays are produced by careful selection of the type and energy of multiply charged ions and the thickness of the thin electrically conductive layer, which may be a light element metal.
机译:用于半导体材料,电路和其他物体的亚微米光刻的设备和方法。多电荷离子(2)的源(10)被施加到导电材料(54)的薄层上。离子和自由电子在层中的复合产生软的X射线辐射,该X射线用于照射对象(50)。该物体可以包括半导体基板,对X射线敏感的抗蚀剂以及用于形成半导体器件的X射线吸收掩模。通过仔细选择多电荷离子的类型和能量以及薄的导电层(可能是轻元素金属)的厚度来产生软X射线。

著录项

  • 公开/公告号WO9534901A1

    专利类型

  • 公开/公告日1995-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RUXAM INC.;

    申请/专利号WO1994US06841

  • 申请日1994-06-16

  • 分类号G21K5/00;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 03:49:13

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