退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:数字集成mos电路中具有低阈值电压的晶体管的源极偏置电压发生器
公开/公告号DE3717758C2
专利类型
公开/公告日1996-09-19
原文格式PDF
申请/专利权人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.P.A. CATANIA IT;
申请/专利号DE19873717758
发明设计人 CAMPARDO GIOVANNI BERGAMO IT;NOVOSEL DAVID WEST MIDDLESEX PA. US;
申请日1987-05-26
分类号G05F3/16;G11C7/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 03:42:39
机译: 低阈值晶体管CMOS,具有缓冲电路和MOS晶体管,该晶体管具有体偏置电压调节器和MOS晶体管体的受控版本作为动态体偏置电压
机译: 用于数字集成mos电路中自然晶体管的源偏置电压发生器
机译: 用于集成电路的CMOS分压器-具有一个MOS晶体管链,该晶体管为互补晶体管链产生栅极-源极偏置电压