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机译：具有过流和过热保护功能的功率MOSFET
公开/公告号GB2291743A
专利类型
公开/公告日1996-01-31
原文格式PDF
申请/专利权人 * INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION;
申请/专利号GB19950016279
发明设计人 BRUNO C * NADD;
申请日1994-09-09
分类号H01L27/02;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 03:40:10
机译： 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流，并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译： 具有过电流和过热保护的功率MOSFET，以及与体二极管断开的控制电路
机译： 具有过流和过热保护的功率MOSFET
