首页> 外国专利> Elevated voltage level I.sub.DDQ failure testing of integrated circuits

Elevated voltage level I.sub.DDQ failure testing of integrated circuits

机译:集成电路的高电压等级I.sub.DDQ故障测试

摘要

Burn in testing of static CMOS IC's is eliminated by I.sub.DDQ testing at elevated voltage levels. These voltage levels are at least 25% higher than the normal operating voltage for the IC but are below voltage levels that would cause damage to the chip.
机译:通过在高电压电平下进行I.DDQ测试,消除了静态CMOS IC测试中的烧伤。这些电压电平比IC的正常工作电压至少高25%,但低于会损坏芯片的电压电平。

著录项

  • 公开/公告号US5519333A

    专利类型

  • 公开/公告日1996-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANDIA CORPORATION;

    申请/专利号US19940303849

  • 发明设计人 ALAN W. RIGHTER;

    申请日1994-09-09

  • 分类号G01R31/26;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 03:38:32

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号