首页> 外国专利> Multiplexed by-passable memory devices with increased speed and improved flip-flop utilization

Multiplexed by-passable memory devices with increased speed and improved flip-flop utilization

机译:复用的可旁路存储设备,提高了速度并提高了触发器利用率

摘要

A memory device, with increased storage speed and enhanced memory utilization, can be implemented by using multiplex clocking and efficient device design and enhanced flip-flop utilization. Transit time through the circuit, and hence circuit speed, can be controlled through multiplexed clock signals, and is increased by using fewer transistors in the signal path and allowing data to be transmitted directly to the flip- flop output by bypassing the flip-flop's master latch input.
机译:可以通过使用多路复用时钟和高效的设备设计以及增强的触发器利用率来实现具有提高的存储速度和增强的存储器利用率的存储设备。可以通过多路复用时钟信号来控制通过电路的传输时间,从而可以控制电路速度,并且可以通过在信号路径中使用更少的晶体管来增加传输时间,并且可以通过绕过触发器的主控制器将数据直接传输到触发器输出。锁存输入。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号