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A method for producing a precise semiconductor alloy composition from input variables under nonlinear incorporation conditions

机译:一种在非线性掺入条件下由输入变量产生精确的半导体合金成分的方法

摘要

A process for manufacturing precise alloy compositions in nonlinear alloy systems. The invention implements a new quadratic fitting function that relates alloy composition cA for a variable A to input fluxes fA and fB, as cA=fA2/(fA2+βfB2). β is a parameter that is used to modify the incorporation of the Group V input variable B. This modification is necessary because of different surface populations of Group V dimer species. This new fitting function precisely predicts alloy compositions in nonlinear systems, such as the GaAs1-yPy, system, where y is set equal to the composition cA.
机译:一种在非线性合金系统中制造精确合金成分的方法。本发明实现了新的二次拟合函数,该二次拟合函数将变量A的合金成分c A 与输入通量f A 和f B 相关,如c A = f A 2 /(f A 2 +βf B 2 )。 β是用于修改V组输入变量B的合并的参数。由于V组二聚体种类的表面种群不同,因此需要进行此修改。这个新的拟合函数可以精确地预测非线性系统(例如GaAs 1-y P y )系统中的合金成分,其中y设置为等于成分c A

著录项

  • 公开/公告号EP0643426A3

    专利类型

  • 公开/公告日1997-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AT&T CORP.;

    申请/专利号EP19940306424

  • 申请日1994-08-31

  • 分类号H01L31/18;H01L33/00;H01L29/12;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 03:20:32

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