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Submicron gate array

机译:亚微米门阵列

摘要

1. The technical field to which the invention described in the claims belongs:;A submicron gate array input and output master slice.;2. The technical problem the invention is trying to solve:;A submicron gate array input / output master slice is provided to ensure stable operation.;3. Summary of the Solution of the Invention:;A sub-micron gate array input / output master slice, comprising: a level shift region consisting of an n-type transistor region, an isolated-type transistor region, and a shared-type transistor region; The present invention is made up of a free drive region consisting of a single transistor, an output drive region consisting of a separate type transistor and an en-type transistor, and a left and right symmetrical separate transistor.;4. Significant use of the invention;;Suitable for submicron gate array input and output master slices.
机译:1.权利要求中描述的本发明所属的技术领域:亚微米级门阵列输入和输出主片。本发明试图解决的技术问题:提供亚微米门阵列输入/输出主片以确保稳定的操作。发明内容:亚微米级门阵列输入/输出主片,包括:由n型晶体管区域,隔离型晶体管区域和共享型晶体管区域组成的电平移位区域;本发明由一个由单个晶体管组成的自由驱动区,一个由分离型晶体管和一个en型晶体管组成的输出驱动区以及左右对称的分离型晶体管组成; 4。本发明的重要用途;适用于亚微米级门阵列的输入和输出主片。

著录项

  • 公开/公告号KR970030811A

    专利类型

  • 公开/公告日1997-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 김광호;

    申请/专利号KR19950044243

  • 发明设计人 정승호;

    申请日1995-11-28

  • 分类号H01L27/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:17:26

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