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Overvoltage-tolerant self-biasing CMOS output buffer

机译:耐压自偏置CMOS输出缓冲器

摘要

An overvoltage-tolerant self-biasing input/output buffer circuit having a p-channel field-effect transistor ("FET"), a first n- channel FET and a biasing circuit for biasing the body of the p-channel FET so as to prevent forward-biasing of the of the p-channel FET. The p- channel FET has a source connected to a first voltage, a gate connected to a first input, a drain connected to an output, and the body connected to a node. The first n-channel FET has a drain connected to the output, a gate connected to a second input, a body connected to a second voltage, and a source connected to the second voltage. The biasing circuit includes a second n-channel FET and a third n-channel FET. The second n- channel FET has a source and a gate connected to the first voltage, a drain connected to the node, and a body connected to the second voltage. The third n- channel FET has a drain connected to the node, a gate and a source connected to the output, and a body connected to the second voltage.
机译:一种具有p沟道场效应晶体管(“ FET”),第一n沟道FET和用于对p沟道FET的主体进行偏置的偏置电路的耐压自偏置输入/输出缓冲电路。防止p沟道FET的正向偏置。 p沟道FET具有连接到第一电压的源极,连接到第一输入的栅极,连接到输出的漏极以及连接到节点的主体。第一n沟道FET具有连接到输出的漏极,连接到第二输入的栅极,连接到第二电压的主体以及连接到第二电压的源极。偏置电路包括第二n沟道FET和第三n沟道FET。第二n沟道FET具有连接至第一电压的源极和栅极,连接至节点的漏极以及连接至第二电压的主体。第三n沟道FET具有连接到节点的漏极,连接到输出的栅极和源极以及连接到第二电压的主体。

著录项

  • 公开/公告号US5635860A

    专利类型

  • 公开/公告日1997-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LUCENT TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US19950580413

  • 发明设计人 ERIC H. WESTERWICK;

    申请日1995-12-28

  • 分类号H03K19/003;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 03:09:58

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