根据该方法,首先要对待涂覆的钻头表面进行化学脱脱处理。用油脂润滑以去除污染物,然后插入本发明的电子掩膜涂层夹具中。电子屏蔽的固定装置包括通电电极,钻头要涂覆的部分,电绝缘垫片和电接地屏蔽板。接下来,将加载的夹具放置到等离子体沉积真空室中,并将所述室中的空气抽空。将气体添加到真空室中,并点燃电容性RF等离子体,从而对钻头的表面进行溅射蚀刻,以去除残留的污染物和表面氧化物,并激活表面。在溅射蚀刻步骤之后,通过电容RF等离子体沉积来沉积含硅材料层。该含硅材料层可以是用于随后的DLC沉积的粘附层,或者可以是“ Si掺杂的DLC”(“ Si-DLC”)。如果该含硅层是粘附层,则该过程的下一步是通过电容性射频等离子体沉积来沉积DLC或Si-DLC的顶层。
公开/公告号US5653812A
专利类型
公开/公告日1997-08-05
原文格式PDF
申请/专利权人 MONSANTO COMPANY;
申请/专利号US19950534188
申请日1995-09-26
分类号C23C16/00;
国家 US
入库时间 2022-08-22 03:09:39