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Surface figuring of optical surfaces of silicon carbide by photoelectrochemical etching

机译:用光电化学蚀刻法对碳化硅光学表面进行表面处理

摘要

A non-contact photoelectrochemical process capable of figuring and finishing precise optical surfaces of silicon carbide (16), including aspheric optical surfaces and computer (32) controlling location and dwell time parameters as part of an automated process. The automated fabrication using this process offers significant costs and performance benefits for the generation and finishing of low scatter, low subsurface damage SiC optical surfaces.
机译:一种非接触式光电化学工艺,能够确定和精加工碳化硅(16)的精确光学表面,包括非球面光学表面和计算机(32),其作为自动过程的一部分来控制位置和停留时间参数。使用此工艺的自动化制造为低散射,低次表面损伤SiC光学表面的产生和精加工提供了可观的成本和性能优势。

著录项

  • 公开/公告号AU6938598A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CORNING INCORPORATED;

    申请/专利号AU19980069385

  • 发明设计人 DOUGLAS L. HIBBARD;

    申请日1998-03-06

  • 分类号C25F3/12;

  • 国家 AU

  • 入库时间 2022-08-22 02:52:42

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