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POLISHSTOP PLANARIZATION STRUCTURE

机译:波兰停止计划结构

摘要

The present invention provides a method for producing a substantially flat surface that overlies the shape of a semiconductor structure. The method includes forming alternating layers of alternating hard and soft polishing materials over the shape of the semiconductor structure, and then polishing the alternating layers to form a substantially flat surface over the shape. This method uses the policy speeds of the various materials used as alternating layers to improve the planarization process.
机译:本发明提供了一种用于生产覆盖半导体结构的形状的基本平坦的表面的方法。该方法包括在半导体结构的形状上形成交替的硬和软抛光材料的交替层,然后抛光交替的层以在该形状上形成基本平坦的表面。该方法利用用作交替层的各种材料的策略速度来改善平坦化过程。

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