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PLANARIZING METHOD AND PLANARIZING EQUIPMENT OF WAFER

机译:晶圆的规划方法和规划设备

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To planarize the surface of a wafer by effectively eliminating unevenness due to undulations or the like of the wafer surface, without generating large damages. ;SOLUTION: From a gas jetting nozzle 16, an etching gas is jetted against protrusions 2a, 2b which are present on the surface of a wafer 1 and are different in size and/or height, and the protrusions are dry-etched, thereby planarizing the wafer surface. The jetting state of the etching gas is changed, in accordance with the size and/or the height of the protrusions 2a, 2b.;COPYRIGHT: (C)1999,JPO
机译:解决的问题:通过有效地消除由于晶片表面的起伏等引起的不平坦而使晶片的表面平坦化,而不会产生大的损坏。 ;解决方案:从气体喷嘴16,将蚀刻气体喷射到晶片1的表面上存在的,尺寸和/或高度不同的突起2a,2b上,并对突起进行干法蚀刻,从而使其平坦化。晶圆表面。蚀刻气体的喷射状态根据突起2a,2b的大小和/或高度而改变。版权所有:(C)1999,JPO

著录项

  • 公开/公告号JPH11265877A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHIBA CORP;

    申请/专利号JP19980065764

  • 发明设计人 HAYASAKA NOBUO;OKUMURA KATSUYA;

    申请日1998-03-16

  • 分类号H01L21/3065;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 02:35:28

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