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机译:减少存储器内部张力稳定时间的存储器结构和生成rifer的方法
公开/公告号ITMI991475D0
专利类型
公开/公告日1999-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;
申请/专利号IT1999MI01475
发明设计人 MACCARONE MARCO;MULATTI JACOPO;
申请日1999-07-02
分类号G11C5/14;G11C16/12;G11C16/30;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 02:25:10
机译: 具有内部电压基准的建立时间值减小的存储器架构以及裂线产生方法
机译: 降低稳定时间内部反张力值的存储器架构及其生成方法
机译: 用于以减少的建立时间从闪存内部的单条电源线电压生成电压的方法和装置