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memory architecture having reduced value of settling time of ref erimenti internal tension and method of generation of rifer

机译:减少存储器内部张力稳定时间的存储器结构和生成rifer的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号ITMI991475D0

    专利类型

  • 公开/公告日1999-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;

    申请/专利号IT1999MI01475

  • 发明设计人 MACCARONE MARCO;MULATTI JACOPO;

    申请日1999-07-02

  • 分类号G11C5/14;G11C16/12;G11C16/30;

  • 国家 IT

  • 入库时间 2022-08-22 02:25:10

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