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Single-Ended and Low Supply Voltage Magnetoresistive Preamplifier Circuit with High Input Impedance

机译:具有高输入阻抗的单端低电源电压磁阻前置放大器电路

摘要

The present invention relates to a preamplifier circuit for a magnetoresistive (MR) device that has a high input impedance to the MR resistor and is not sensitive to the series input inductance of the leads required for the final system to connect the MR device to the amplifier. In conventional preamplifiers, almost all amplifiers are of low impedance type (using biCMOS or bipolar technology) or differential (using bipolar technology). The present invention satisfies the needs of the prior art by providing a single-ended SE preamplifier using biCMOS with high input impedance.
机译:用于磁阻(MR)设备的前置放大器电路技术领域本发明涉及一种用于磁阻(MR)设备的前置放大器电路,其对MR电阻器具有高输入阻抗,并且对最终系统将MR设备连接至放大器所需的引线的串联输入电感不敏感。 。在传统的前置放大器中,几乎所有放大器都是低阻抗类型(使用双CMOS或双极性技术)或差分(使用双极性技术)。通过提供使用具有高输入阻抗的biCMOS的单端SE前置放大器,本发明满足了现有技术的需求。

著录项

  • 公开/公告号KR19990044927A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 포만 제프리 엘;

    申请/专利号KR19980046155

  • 发明设计人 청 폴 윙싱;조브 스테펜 알란;

    申请日1998-10-30

  • 分类号G11B20/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:17:11

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