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Method of preventing deterioration of film quality of transparent conductive film a semiconductor device

机译:防止透明导电膜的膜质量劣化的方法

摘要

A semiconductor device including an insulating layer, a patterned conductive layer on the insulating layer, a semiconductor layer on the patterned conductive layer, and a reactive layer formed by reacting the patterned conductive layer with growth nuclei on the patterned conductive layer between the patterned conductive layer and the semiconductor layer, the growth nuclei containing any of elements in group IIIb, group IVb, group Va and group VIIb that does not constitute the conductive film and the insulating film on the surface of the conductive film.
机译:一种半导体器件,包括:绝缘层,在绝缘层上的图案化导电层,在图案化导电层上的半导体层,以及通过使图案化导电层与图案化导电层之间的图案化导电层上的生长核反应而形成的反应层。半导体层,生长核,其含有不构成导电膜的IIIb族,IVb族,Va族和VIIb族中的任意元素以及在导电膜的表面上的绝缘膜。

著录项

  • 公开/公告号US5900646A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJITSU LIMITED;

    申请/专利号US19960730662

  • 发明设计人 YUTAKA TAKIZAWA;KEN-ICHI YANAI;

    申请日1996-10-11

  • 分类号H01L29/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:08:10

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