首页> 外国专利> Leading edge blanking circuit and leading edge blanking method

Leading edge blanking circuit and leading edge blanking method

机译:前沿消隐电路和前沿消隐方法

摘要

A leading edge blanking circuit has been provided. The LEB circuit (20) includes a minimum number of components for monitoring a gate voltage of a transistor (28) and passing a current sense signal, which senses the current level through the transistor, to subsequent control circuitry (32) when the gate voltage exceeds a predetermined threshold (VLEBTH). Further, the predetermined threshold is chosen to be between the Miller plateau voltage of the transistor and the desired maximum gate voltage.
机译:提供了前沿消隐电路。 LEB电路(20)包括最小数量的组件,用于监视晶体管(28)的栅极电压,并且当栅极电压时,将电流感测信号(其感测通过晶体管的电流电平)传递给随后的控制电路(32)超过预定阈值(VLEBTH)。此外,预定阈值被选择为在晶体管的米勒高原电压和期望的最大栅极电压之间。

著录项

  • 公开/公告号EP0626755B1

    专利类型

  • 公开/公告日2000-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MOTOROLA INC;

    申请/专利号EP19940107929

  • 发明设计人 TISINGER ERIC W.;

    申请日1994-05-24

  • 分类号H03K17/16;H03K17/082;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 01:49:13

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号