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MEMORY TEST CIRCUIT AND METHOD FOR SEARCHING FAIL POSITION

机译:记忆测试电路及寻找失败位置的方法

摘要

PURPOSE: A memory test circuit and a method for searching a fail position are provided to make possible fast test and analysis by searching a failed position by a time for progressing a pattern and to realize a complex pattern. CONSTITUTION: A comparator(COMP1) compares the data read from a test pattern to reference data and decides a pass state or a fail state. If the state is fail because the data from the test pattern is different from the reference data, the failed data is stored in a catch RAM(70) and the occurrence of fail in a CPU(central processing unit)(80) is informed. The CPU operates the time receiving the fail data with a clock and transfers the failed point to a RAM(90) by calculating. The RAM selects the data of the point and transmits the data to a display device to display.
机译:目的:提供一种存储器测试电路和一种用于搜索故障位置的方法,以通过按时间搜索故障位置以进行图案并实现复杂的图案来进行快速测试和分析。构成:比较器(COMP1)将从测试模式读取的数据与参考数据进行比较,并确定通过状态或失败状态。如果由于来自测试模式的数据不同于参考数据而导致状态失败,则将失败的数据存储在捕获RAM(70)中,并通知CPU(中央处理单元)(80)中发生了失败。 CPU利用时钟来操作接收故障数据的时间,并且通过计算将故障点传送到RAM(90)。 RAM选择该点的数据,并将该数据发送到显示装置进行显示。

著录项

  • 公开/公告号KR20000046809A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR19980063536

  • 发明设计人 KANG DONG WAN;

    申请日1998-12-31

  • 分类号G11C29/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:45:30

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