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机译:电泳沉积制备碳纳米管场发射体的方法
公开/公告号GB0010071D0
专利类型
公开/公告日2000-06-14
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG SDI CO. LTD;
申请/专利号GB20000010071
发明设计人
申请日2000-04-25
分类号B82B3/00;C25D13/02;C25D13/10;C25D13/12;H01J1/30;H01J9/02;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 01:39:23
机译: 电泳沉积制备碳纳米管场发射体的方法
机译: 通过点矩阵顺序电泳沉积制备碳纳米管电子场致发射体的方法