M.sub.1-x M'.sub.4-y Co.sub.y M“ .sub.12
M“ Sb,As,P,Bi,Ge.sub.0.5-w Se.sub.0。5 + w,其中w = 0-0.5或其混合物;
x = 0至1;
y = 0至4;并且
其中M′和/或M”被掺杂或不掺杂。这些化合物通常具有方钴矿的晶体结构,其中该晶体结构是立方的,在空间群Im3中的晶胞中具有34个原子。 M” .sub.12原子占据晶胞位点24(g),M'sub.4-y原子形成立方亚晶格占据晶胞位点8(c),M'sub.1- x原子位于晶胞中两个剩余的“孔”或间隙位置,即位点2(a)。这些热力学亚稳态方钴矿晶体结构化合物具有相对较低的热导率特性和相对较高的电导率特性,使得这些化合物适用于热电设备。
公开/公告号US5994639A
专利类型
公开/公告日1999-11-30
原文格式PDF
申请/专利号US19970824254
申请日1997-03-25
分类号H01L35/12;
国家 US
入库时间 2022-08-22 01:38:56